Undersøgelsen af RF-kortsignalrefleksion kan udføres i en standardiseret proces fra let til vanskelig, fra system til lokal, for hurtigt at lokalisere kilden til impedansdiskontinuitet.
Trin 1: Indledende vurdering af refleksionsfænomen og forberedelse til test
Ved direkte at observere signalbølgeformen med et oscilloskop med høj båndbredde, hvis der er åbenlyst overskridelse, ringning eller trinlignende forvrængning, kan det foreløbigt bekræftes, at der er et reflektionsproblem.
Forbered kernetestudstyr: vektornetværksanalysator (vektornetværk/VA), tidsdomænereflektometer (TDR), SMA-testarmatur. Før afprøvning skal SOLT kortslutning åbne kredsløbsbelastning gennem kalibrering for at sikre kontrollerbare målefejl.
Trin 2: Kvantificer refleksionsintensitet og lokalisering af frekvensdomæne
Test S11-returtabsparameteren ved hjælp af et vektornetværk. Normale RF-links kræver S11<-10dB within the operating frequency band. If the value is significantly higher, it indicates that the reflected energy exceeds the standard.
Bestem den samlede impedansafvigelse baseret på Smith-diagramfunktionerne:
Den overordnede højre afvigelse af det cirkulære diagram: den faktiske impedans er større end designværdien (såsom 55 Ω målt i et 50 Ω design), hvilket ofte er forårsaget af for stor tykkelse af det dielektriske lag og smal linjebredde.
Den samlede venstre afvigelse af det cirkulære diagram: den faktiske impedans er mindre end designværdien (såsom 42 Ω målt i 50 Ω-designet), hvilket ofte er forårsaget af det tynde dielektriske lag, bred linjebredde eller for høj dielektrisk konstant på kortet.
Lokalt konkavt/konveks udseende på den cirkulære graf indikerer tilstedeværelsen af lokale impedansdiskontinuitetspunkter i forbindelsen.
Trin 3: Find nøjagtigt den fysiske position af reflektionskilden
Brug af vektornetværkets S-parameter tidsdomænetransformationsfunktion for at opnå TDR-ækvivalent testning:
TDR-bølgeform fremadspring: svarer til en pludselig stigning i impedans ved den tilsvarende position, almindeligvis set i smal linjebredde og overdreven parasitisk induktans af vias.
TDR-bølgeform negativt spring: svarer til et pludseligt fald i impedans ved den tilsvarende position, almindeligvis set i overdreven parasitisk kapacitans af via-puder og pludselige ændringer i linjebredden i BGA-udbrudsområder.
Baseret på springpunktets tidsparametre kan den præcise fysiske placering af impedansdiskontinuitetspunktet på PCB-rutingen beregnes med en positioneringsnøjagtighed på op til centimeterniveau.
Trin 4: Undersøg almindelige årsager efter modul og emne for emne
I henhold til signalforbindelsen fra input til output skal du bruge "divide and conquer"-strategien til at opdele modulerne og verificere dem én efter én:
Ekstern forbindelse og testforbindelsesfejlfinding: Kontroller SMA-stik og testkabler for pin-oxidation, endefladeforurening og løse gevind. Disse problemer kan direkte introducere yderligere refleksioner, som kan elimineres ved at udskifte kvalificerede kabler til sammenlignende test.
Fejlfinding af passiv komponent og matchende netværk: Kontroller S11-parametrene for antenner, filtre, strømdelere og andre komponenter én efter én for at bekræfte, om der er impedansmutation forårsaget af enhedsmismatch, virtuel loddeforbindelse/tinstabling.
PCB-ledninger og undersøgelse af strukturelle defekter: Fokuser på at undersøge typiske design-/fremstillingsproblemer såsom for lange rester af gennemhullet, ingen reflow-vej i referenceplansegmentering, retvinklede bøjninger i ledninger og bratte ændringer i linjebredden uden gradvis overgang.
Fejlfinding ved aktiv portterminering: Bekræft, om input- og output-tilpasningskredsløbene på forstærkere, mixere og andre chips har virtuel lodning eller forkerte termineringsmodstands-/kapacitansparametre, hvilket resulterer i portimpedansafvigelse fra 50 Ω-standarden.
Trin 5: Verifikation og lukket sløjfe-bekræftelse
Efter reparation skal du udføre S-parameter-, TDR- og bølgeformstestning igen for at bekræfte, at S11-indikatoren opfylder standarden, TDR-bølgeformen har ingen unormale spring, og signaloverskridelsen/ringeamplituden kontrolleres inden for 10 % af strømforsyningsspændingen for at undgå at introducere nye refleksionsproblemer under ensretningsprocessen.